化合物信息

ID:127147

InChI=1S/H6Si2/c1-2/h1-2H3

PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N

LogD (pH = 7.4)

-1.87

LogD (pH = 5.5)

-1.87

Log P

-1.87

可自由旋转的化学键

质子供体

质子受体

里宾斯基五规则

true

极化表面积

0.00

极化性

5.70

摩尔折射率

4.80

LOG S

0.56

Disilane乙硅烷DisilaneSi2H6disilane

Extremely flammable

Danger

UN 3161 2.1

16-24-26-36/37/39

463043

Features and Benefits
通过快速低温化学气相沉积 (LTCVD)，本品可用于无定形硅、外延硅和硅基电介质的沉积。2通过分子束外延 (MBE)，与锗的固体原料相结合，还可用于硅锗薄膜的外延生长。3外延硅和硅基电介质快速低温沉积的前体。4
General description
Atomic number of base material: 14 Silicon
包装
20 g in ss cylinder
Application
外延硅和硅基电介质快速低温沉积的前体。1
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