物质信息
ID:323871
名称和标识
别名
硅Silicon
IUPAC标准名
silicon
IUPAC传统名
silicon
化合物性质
产品相关信息
其他组分
phosphorus as dopant
直径 × 厚度
3 in. × 0.5 mm
线性分子式
Si
理化性质
熔点
1410 °C(lit.)
1240 °C
密度
2.33 g/mL at 25 °C(lit.)
沸点
2355 °C(lit.)
半导体性质
<100>, N-type
外观
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)
安全信息
描述信息
包装
1 ea in rigid mailer
Physical properties
氧含量：≤ 1~1.8×1018/cm3；碳含量：≤ 5×1016/cm3；晶棒直径：1~8″
零涡旋缺陷。蚀坑密度 (EPD) < 100 (cm-2)。电阻率 10-3 - 40Ωcm
1 ea in rigid mailer
Physical properties
氧含量：≤ 1~1.8×1018/cm3；碳含量：≤ 5×1016/cm3；晶棒直径：1~8″
零涡旋缺陷。蚀坑密度 (EPD) < 100 (cm-2)。电阻率 10-3 - 40Ωcm
分子图谱
暂无数据
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参考文献
暂无数据
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