物质信息
ID:320251
名称和标识
IUPAC传统名
gallium antimonide
IUPAC标准名
gallanylidynestibane
别名
Gallium antimonide锑化镓
化合物性质
安全信息
GHS危险品标识
对水环境的危害
急性危害，类别1
慢性危害，类别1,2
急性毒性（口服，皮肤接触，吸入），类别4
皮肤刺激，类别2
眼刺激，类别2
皮肤过敏，类别1
特定目标器官毒性 -一次接触，类别3
欧盟危险性物质标志
有害性 (Xn)
环境危害性 (N)GHS警示性声明
P273
RID/ADR
UN 1549 6.1/PG 3
联合国危险货物编号
1549
联合国危险货物包装类别(PG)
3
联合国危险货物等级
6.1
个人保护装置
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
危险公开号
20/22-51/53
德国WGK号
2
GHS危险声明
H302-H332-H411
MSDS下载
安全公开号
61
GHS警示词
Warning
理化性质
半导体性质
<100>
熔点
710 °C
980 °C(lit.)
外观
(single crystal substrate)
密度
5.619 g/mL at 25 °C
5.62 g/mL at 25 °C(lit.)
电阻率
~0.1 Ω-cm
产品相关信息
直径 × 厚度
2 in. × 0.5 mm
线性分子式
GaSb
描述信息
包装
1 ea in rigid mailer
Physical form
立方晶系 (a = 6.095Å)
Physical properties
未掺杂的 P 型半导体，生长技术：液封直拉法，载流子浓度 = 1-2×10-17cm-3，蚀坑密度 <103cm-2
热膨胀：6.1×10-6/oK；热导率：270mW/cm.k (300K)；迁移率 600~800cm2/V·s
1 ea in rigid mailer
Physical form
立方晶系 (a = 6.095Å)
Physical properties
未掺杂的 P 型半导体，生长技术：液封直拉法，载流子浓度 = 1-2×10-17cm-3，蚀坑密度 <103cm-2
热膨胀：6.1×10-6/oK；热导率：270mW/cm.k (300K)；迁移率 600~800cm2/V·s
分子图谱
暂无数据
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参考文献
暂无数据
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